1、泥石流溝道侵蝕作為一種特殊的侵蝕類型，與一般水流相比，其侵蝕作用非常強烈，在一次過程中便可刷深溝床數米甚至數十米。

2、產品型號穩定是加工水泵、紡織軸承溝道、滾道之最佳選擇。

3、為了減小小尺寸mos器件的短溝道效應，采取了改進器件的結構、改變溝道摻雜以及減小柵氧化層厚度等措施。

4、被排出的漿液通過溝道被送到吸收塔排水坑.

5、溝道化是斷陷湖盆重力流沉積的一大特色，探討了其有別于經典海相重力流相模式的原因。

6、最后，模擬研究了“雙溝道”mesfet結構，并根據模擬仿真的直流輸出特性以及擊穿特性，優化了“低溝道”層和“高溝道”層的結構參數。

7、高能粒子在碳納米管繩里的溝道效應，顯示大的溝道直徑和微弱的退溝道因子。

8、文中通過利用耗盡層阻斷溝道的方法，討論了一種基于rst結構原理實現“或非”邏輯功能的器件結構。

9、帶電粒子在晶體中的運動會受到溝道效應和阻塞效應的強烈影響。

10、它還集成了兩個內部低飽和pnp晶體管，措置雙溝道充電性能.

11、模擬結果顯示：越細長的溝道，器件的短溝效應越弱，器件的亞閾值斜率隨柵氧化層增厚而加大。

12、介紹一種采用電磁鐵驅動的砂輪修整定位機構，用于單溝道軸承磨床改造，實現軸承套圈雙溝道一次磨削和自動磨削。

13、湖底扇、辮狀溝道砂體易于形成巖性油氣藏。

14、第五章設計了全p溝道tft構成的屏上驅動電路，包括反相器、移位寄存器、傳輸門的設計，并用仿真軟件進行了仿真驗證。

15、絕緣柵雙極晶體管。n溝道增強模式，高速開關。

16、由于這種連接可能出現較大的泄漏溝道，故可用密封劑、密封膠帶或填料來堵塞這些溝道。

17、提出了近北遠南、截流溝道、河灘漫流、排口分級管理的新觀點。

18、它綜合考慮了襯偏效應、短溝道效應以及兩者之間的關系。

19、在較淺的溝道里，如果流量過大就可能使溝水漫溢，并引起連鎖反應，從而產生沖溝。

20、m時，由于制造工藝的局限性以及溝道長度變短、結深變淺后，器件穿通風險加大。

21、闡述了土谷坊的設計原則、施工方法及其在溝道治理工程中的應用.

22、由于溝道存在很強的溝床和溝壁侵蝕，溝道也成為土壤侵蝕風險區。

23、對于0.18m及0.18m以下的器件而言最大的挑戰之一就是如何減少短溝道效應，解決這一挑戰的方法是使用超淺結工藝。

24、mosfet三級模型也成為半經驗模型，這個模型不僅包括了亞閾值情況，而且還試圖說明了短溝道效應和窄溝道效應。

25、通過與一維模型的比較，說明在深亞微米soimosfet器件中隱埋層的二維效應會導致器件提前出現短溝道效應。

26、經分析，是由于金屬柵極的縫隙距離或孔徑過大，勢壘區耗盡層遠小于溝道寬度，柵壓起不到明顯的調控作用。

27、其課題在于，針對氮化鎵系的高電子遷移率晶體管，提高二維電子濃度和電子遷移率，并且不產生短溝道效應。

28、特定來說，在非易失性存儲器裝置經歷許多編程循環時，電荷變為俘獲在浮動柵極與溝道區之間的絕緣體或電介質中。

29、實驗得到的半波長與理論計算值在誤差范圍內一致，晶面溝道方向的阻止本領略大于隨機方向的阻止本領。

30、傳統晶體管使用一個叫做“柵極”的金屬電極，以控制電子在平面硅基片上的溝道中的流動。

31、本發明對底電極的修飾采用溝道半導體材料本身，減小了電極與溝道材料之間的接觸電勢差。

32、溝道效應的運動阻尼與系統走向混沌的臨界特征。

33、藉由本發明可以在維持元件密度的情況下制作較寬的字線，避免短溝道效應，提升元件的效能。

34、這樣在源和漏之間就產生了一個導電的n型溝道.

35、基本保留了鳳凰臺、回水溝與厚慈街的位置，對十八梯、守備街、花街子、回水溝道路做了進一步改善。

36、骨干壩的布局應遵循三均衡原則，即單壩區間控制面積基本均衡，對干支溝的溝道控制基本均衡，單壩淤地面積與區間控制面積的比值基本均衡。

37、全區的護田林帶已達200多公里，許多侵蝕劇烈的溝道、河川被沙棘固定。

38、村周圍成千上萬的溝道、石堰，為收藏石頭提供了絕佳的天然場所。