1、 將一個或多個存儲單元或者寄放器置成預先規(guī)定的狀態(tài)，通常置成零狀態(tài)。

2、 存儲容量和性能：通過根據(jù)需要動態(tài)地添加存儲單元來實現(xiàn)。

3、 量子計算機存儲單元的相干脫散，破壞量子態(tài)中的信息，是量子計算機難以實現(xiàn)的主要原因之一。

4、 你可以借助于壓縮十進制數(shù)字的方法來節(jié)省大量的存儲單元.

5、 分析了影響這種sram存儲單元工作特性的各種因素，包括對其中的反相器、壓控電阻和傳輸門管的研究。

6、 觸發(fā)器是構(gòu)成時序邏輯電路的存儲單元和核心部件.

7、 在某些系統(tǒng)中，任何一個離散的存儲單元，如字節(jié)、字、數(shù)據(jù)塊、存儲桶、磁盤圓柱、磁道扇區(qū)等.

8、 某些非晶體存儲器中的一個存儲單元.

9、 通過在峰值存儲單元中引入零點及在峰值檢測電路中引入前饋，實現(xiàn)了對自動增益控制環(huán)阻尼特性的調(diào)整。

10、 對第一代開關(guān)電流存儲單元產(chǎn)生的時鐘饋通誤差做了合理的近似分析，設計了一種高性能開關(guān)電流存儲單元。

11、 在具有微程序控制的指令集的微型計算機中，它包含另外的控制存儲單元。

12、 由此可見，加數(shù)和被加數(shù)都應足夠小，以便能夠適合地裝入一個存儲單元.

13、 3d閃存是下一代閃存技術(shù)，相對于2d閃存技術(shù)，3d閃存把存儲單元垂直疊加，可大幅提高存儲器容量，但對制造工藝要求更高。