1、 對外延基區雙極技術，硼硅玻璃自對準雙極技術等進行了詳細的分析和敘述。

2、 實踐說明，該法優于原長基區電阻率法。

3、 研究了為提高基區少子壽命而進行磷吸收的機理。

4、 而由于淺能級雜質的陷阱效應，低溫下基區和發射區渡越時間變長，截止頻率下降。

5、 介紹了非對稱型門極換流晶閘管的p基區結構。

6、 采用多晶硅發射區和基區重摻雜技術，獲得了可與cmos結構兼容，基區電阻較小的硅低溫雙極晶體管。

7、 準平面和低基區電阻是該設計的主要特點。

8、 為減小基區電阻和防止低溫載流子凍析，可增加基區濃度。

9、 注入，如果有必要通過延伸npn的基區到隔離槽形成保護環。

10、 在對器件基區中光生電流分布規律進行理論分析的基礎上，得出硅雙結型色敏器件中摻雜濃度和兩個結的結深是影響光譜響應范圍的主要因素。

11、 無論npn型還是pnp型管，三極管內部均有三個區、即發射區、基區、集電區，三個區形成兩個pn結。

12、 擴展電阻的測試結果顯示出注入的p離子基本上集中在集電區的位置，對發射區和基區未造成顯著影響。

13、 計算結果表明，發射區載流子壽命的變化幾乎不影響注入到基區的電子電流，但卻成反比例地影響基區空穴電流。

14、 市政府秘書長，市政府研究室、市住建局、市水務局、市交通局、市農委以及富拉爾基區、鐵鋒區、富裕縣主要領導陪同調研。

15、 人民網齊齊哈爾2月17日電(記者袁泉)記者從齊齊哈爾市獲悉，今天上午富拉爾基區北鋼醫院發生一起故意報復殺害醫生案件。