1、此外，氧化鋅奈米陣列的光致發(fā)光特性與膠體顆粒的晶粒大小、結(jié)晶性及表面化學(xué)特性有關(guān)。

2、通過(guò)比較el光譜，光致發(fā)光光譜及el光譜分解，表明電致發(fā)光中同時(shí)包含單體發(fā)射、激基復(fù)合物和電荷對(duì)復(fù)合物的發(fā)射。

3、本文介紹了ps的光致發(fā)光機(jī)理與特性研究的一些最新進(jìn)展。

4、較詳細(xì)地綜述了光致發(fā)光材料的研究進(jìn)展，并描述了光致發(fā)光材料的發(fā)光原理。

5、相對(duì)強(qiáng)的激光聚焦有利于獲得較好的光致發(fā)光光譜。

6、對(duì)樣品進(jìn)行了在空氣中的熱穩(wěn)定性及室溫下的光致發(fā)光的測(cè)試，并對(duì)結(jié)果進(jìn)行了分析。

7、研究了以掠入射的平面偏振光激勵(lì)的多孔硅的光致發(fā)光。

8、利用離子注入技術(shù)，對(duì)稀土摻雜到半導(dǎo)體單晶硅中的光致發(fā)光行為進(jìn)行了研究。

9、同時(shí)，隨著退火溫度升高，光致發(fā)光光譜的峰值能量位置移向低能。

10、由于在光電導(dǎo)體、光致發(fā)光、非線性光學(xué)等方面廣闊的應(yīng)用前景，主族金屬硫?qū)倩衔锏难芯渴艿饺藗兊闹匾暋?/p>

11、報(bào)道多孔硅的表面鈍化對(duì)其光致發(fā)光和電致發(fā)光的影響。

12、研究了有機(jī)半導(dǎo)體lppp光微腔調(diào)諧發(fā)光二極管光致發(fā)光的性質(zhì)。

13、我們認(rèn)為很可能是多孔硅內(nèi)表面的氧化作用使光致發(fā)光峰位藍(lán)移，由氧化作用產(chǎn)生的非輻射復(fù)合中心導(dǎo)致光致發(fā)光效率的下降。

14、我們還使用常用的材料表征技術(shù)對(duì)這些納米線進(jìn)行了表征，并測(cè)量了幾種納米線結(jié)構(gòu)的吸收光譜與光致發(fā)光光譜。

15、本文對(duì)發(fā)光塑料的基材及添加劑進(jìn)行了選擇，重點(diǎn)研究了不飽和聚酯光致發(fā)光塑料的成型條件，成型工藝。

16、由于第一層量子點(diǎn)與其他四層量子點(diǎn)的大小、形狀不同，導(dǎo)致量子點(diǎn)光致發(fā)光峰的半高寬增加。

17、研究了低能質(zhì)子注入誘導(dǎo)的界面混合和快速熱退火對(duì)量子點(diǎn)發(fā)光效率的影響，對(duì)其光致發(fā)光峰強(qiáng)進(jìn)行了擬合計(jì)算。