1、 由bimos型運放和vmos場效應晶體管的巧妙配合，使儀器具有很高的精度和很好的性能。

2、 這一現象可用來判別雙極晶體管結溫分布的不均勻性。

3、 采用標準分立雙極元件，對雙極晶體管瞬態輻射光電流分流補償法進行了實驗驗證。

4、 這是一臺最新式晶體管收音機。

5、 阻容晶體管邏輯電路。

6、 結晶裝置，結晶方法，薄膜晶體管的制造方法、薄膜晶體管和顯示裝置。

7、 存儲元件的第一端子和第二端子只有一個電連接于單極晶體管。

8、 該原子的表現正如一個量子光學晶體管，能持續控制流入光腔的光。

9、 光電晶體管。集電極發射極電壓30v的集電極發射極電壓為5v功耗75毫瓦。

10、 我們所研究的晶體管都是把電流饋入發射極.

11、 我們戴手表，用相機拍照片，看地圖找路，聽晶體管收音機，而你們用一部手機可以做以上所有的事。

12、 對雙極晶體管進行了不同劑量率、不同偏置的電離輻照實驗。

13、 其內部只不過是一串串極為普通的金屬線和晶體管，但外觀上卻使人不敢等閑視之。

14、 只有一個外部晶體管所需的變容二極管，線路驅動。

15、 對雙極晶體管結構和關鍵性能參數進行了研究和設計，并進行了流片測試。

16、 在晶體管收、擴音機中，廣泛采用推挽功率放大電路.

17、 這些高速開關器件取代慢，少的高效雙極晶體管，增改善的表現，雙方的步進電機驅動器和伺服放大器。

18、 硅外延平面晶體管，用于音頻和通用。

19、 該文以微波放大器的有源網絡設計為基礎，針對微波晶體管輸入與輸出阻抗相互影響的特點，提出了阻抗匹配的自適應遞推設計方法。

20、 這類器件包括光電池、光電晶體管等。

21、 形成圖案的方法，薄膜晶體管，顯示設備及制法和應用。

22、 這里提出的結構解決了這個問題，它利用標準cmos晶體管來實現非易失性存儲器，這樣就不需要額外的掩膜或工藝步驟。

23、 一種互補式金氧半導體影像傳感器的制造方法，此方法是在基底中形成隔離層，以將基底區隔為光二極管感測區以及晶體管元件區。

24、 “韓國泡菜碗里這個最辣的辣椒”就是三星電子，三星電子第一個電子產品是笨重的晶體管收音機，而發展到現在，從銷量的角度去評估，它已經是世界上最大的科技公司。

25、 本文提出了高壓低飽和壓降gtr的最佳設計方法。分析表明，高壓低飽和壓降晶體管采用集電區穿通性設計比非穿通性設計有利。

26、 一種其工作取決于固體材料中電或磁現象控制情況的元件，例如晶體管、晶體二極管和鐵氧體磁芯等。

27、 這也是我第一印象，很高興得到你的認同，鳳凰結合了膽機與晶體管機中最好的部分。

28、 這種電路的每一支路中的元件，除一般電路元件外，還可能包括功率開關晶體管、二極管或隔離變壓器的一個繞組。

29、 如果大腦中的神經連接變多變細，就會碰到熱力學極限，正如計算機芯片上的晶體管所遇到的問題一樣：容易產生“噪音”。

30、 另外，最近有其他研究人員研制出了紙基晶體管，米若因博士的可為帶有這種晶體管的裝置配電。

31、 這fet晶體管，這里用作可變電阻的電路ic2的反應的一部分。

32、 硅互補pnp晶體管。音頻放大器和驅動器。

33、 這臺電磁式機器一直使用到1959年，然后就被遺棄在灰塵中，因為到了那個時期，首先使用電子管、接著晶體管、然后集成電路芯片的真正電子計算機先后問世。

34、 本文討論了復合開關晶體管的基本特性和開關特性，提供了實測數據和應用電路實例。

35、 本文根據晶體管非線性元件的特點，利用數學推導方法，從基礎上分析了變頻工作嘯叫的原因，并提出了消除方法。

36、 本文在對器件的特性進行分析的基礎上，對多輸入浮柵mos晶體管在電壓型多值邏輯電路中的應用進行了研究。

37、 電子控制單元。包括由轉速傳感器控制的開關晶體管，用來斷開或接通初級電路。

38、 這就是說，電路并不在晶體管層次進行設計，而是在門電路、觸發器和存儲模塊的級別進行設計的。

39、 特別地，當一個高功率電磁脈沖突然加載在晶體管上時，會導致晶體管的電擊穿或熱擊穿。

40、 隨意地，如果用鍺晶體管取代硅晶體管，可使模塊工作的輸入電壓最小為0.25v。

41、 我們必須十分重視晶體管的偏置.

42、 它擁有5英寸的屏幕使用了23個硅鍺晶體管。

43、 在大多數應用中，電子管已由晶體管代替，但是在陰極射線管和一些無線電頻率電路以及音頻放大器中，仍然要使用電子管。

44、 通常由一個電阻器或者電流源，電容器和一個“閥門”裝置，如氖燈、兩端交流開關、單結晶體管或者耿式效應二極管來實現。

45、 圖爾表示，晶體管必須是純粹的半導體才能傳載信息。

46、 在一般的雙極晶體管，帶有電輸入和輸出端口，這定律完全適用。

47、 本文采用較全面的包括四個寄生雙極晶體管和mos管的閂鎖模型，詳細分析了瞬態輻照下cmos反相器的閂鎖效應。

48、 比較了適用于甲類工作和適用丙類工作的微波功率雙極晶體管的差異，并對這些差異提出了物理解釋。

49、 舉例說明，20兆赫茲的峰點是鉗位過程結束后主要由場效應晶體管輸出電容和變壓器漏感引起的寄生振蕩產生的。

50、 其次，對提高有機薄膜晶體管的電學性能的研究。